三维存储单元阵列技术 东芝研发成功新型NAND闪存

　　近日，日本东芝公司宣布研发成功一种新型的NAND闪存芯片。该产品采用了一种新型技术设计，其单体容量有希望扩大10倍。（久特摄影-www.9take.com） 特

摄

　　新技术示意图： 特

电极材料重叠 特

表面进行打孔 摄

放入硅电极

　　据悉，该产品使用了一种名为三维存储单元阵列制造技术！该制造技术会在闪存芯片垂直表面进行打孔，并且贯穿整个芯片。然后在孔中放入硅电极，通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行数据存储。相对于目前被广泛使用的普通NAND闪存，使用这种技术制造出来的新型芯片的容量会更大，可能达到比目前还高10倍的水平。目前该技术生产的产品尚未投入市场，在不久的将来可能有容量高达几十GB的存储卡出现，一张卡就能满足一整天或者数日的拍摄存储需求。